Crocus и Morpho совместно разработают смарт-карту нового поколения

10 ноября 2011 года

Компания Crocus Technology, специализирующаяся на проектировании и производстве чипов магниторезистивной памяти (MRAM), и разработчик средств для электронной идентификации пользователя и электронного документооборота компания Morpho разработают смарт-карту нового поколения, сообщила в четверг Crocus Technology.

Смарт-карты используются для аутентификации пользователей - на их основе, например, выпускаются кредитные карты, имеющие дополнительную степень защиты.

"Это партнерство дает нам возможность совместить уникальный опыт Morpho в области изготовления смарт-карт с нашей инновационной технологией MLU", - сказал глава Crocus Technology Бертран Камбу (Bertrand Cambou).

Технология MLU (Magnetic-Logic-Unit - магнитная логическая ячейка) - новое, более долговечное и надежное поколение MRAM-памяти, которая обеспечивает функции как оперативной памяти, так и долговременное хранение данных.

В рамках соглашения Crocus Technology разработает микроконтроллер, который компания Morpho интегрирует в свои смарт-карты. Микроконтроллер будет отвечать самым высоким стандартам информационной безопасности, заявили представители компании.

Crocus Technology - разработчик магнитных полупроводниковых технологий, позволяющих создавать энергонезависимые чипы памяти высокой плотности для общих и специализированных применений. Компания ориентирована на производство микросхем памяти высокой плотности для телекоммуникационных, сетевых, вычислительных и мобильных решений и систем хранения данных. Помимо разработки готовых продуктов, компания лицензирует свою технологию производства микросхем и встроенных решений.

В мае Crocus Technology и "Роснано", владеющая около 14% акций Crocus Technology, договорились о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения. В рамках сотрудничества было создано совместное предприятие Crocus Nano Electronics (CNE), которое построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров.

MRAM считается одной из перспективных технологий будущего. Потенциально она способна заменить большинство современных видов компьютерной памяти, комбинируя такие достоинства, как высокая производительность, низкое энергопотребление, устойчивость к помехам и долговечность.